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SI4862DY-T1-E3中文资料

SI4862DY-T1-E3图片

SI4862DY-T1-E3外观图

  • 大小:69KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: N CHANNEL MOSFET, 16V, 25A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:25A; Drain Source Voltage, Vds:16V; On Resistance, Rds(on):0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:0.6V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4.5V ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):16V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.3 毫欧 @ 25A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):600mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:70nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:1.6W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:带卷 (TR)

SI4862DY-T1-E3供应商

更新时间:2022-12-31 15:59:23
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